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NTR4171PT1G
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NTR4171PT1G

商品目录小信号MOSFET
系列NTR4171P
高度0.94 mm
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
配置Single
下降时间22 ns
典型接通延迟时间9 ns
上升时间16 ns
通道数量1 Channel
典型关闭延迟时间32 ns
正向跨导-最小值7 S
不同Id时的Vgs（th）（最大值）1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）15.6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）720pF @ 15V
栅极电压Vgs±12V
Pd-功率耗散(Max)480mW(Ta)
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）15.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）720pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs75mΩ@2.2A,10V
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds30V
连续漏极电流Id2.2A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.4V @ 250µA


￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述
商品目录小信号MOSFET
系列NTR4171P
高度0.94 mm
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
配置Single
下降时间22 ns
典型接通延迟时间9 ns
上升时间16 ns
通道数量1 Channel
典型关闭延迟时间32 ns
正向跨导-最小值7 S
不同Id时的Vgs（th）（最大值）1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）15.6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）720pF @ 15V
栅极电压Vgs±12V
Pd-功率耗散(Max)480mW(Ta)
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）15.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）720pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs75mΩ@2.2A,10V
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds30V
连续漏极电流Id2.2A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.4V @ 250µA


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