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NTD2955T4G

商品目录功率MOSFET
不同Id时的Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）30nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）750pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
Pd-功率耗散(Max)55W(Tj)
工作温度-55°C~175°C(TJ)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）750pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs180mΩ@6A,10V
封装/外壳TO-252-3,Dpak,SC-63
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id12A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
不同Id时的Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）30nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）750pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
Pd-功率耗散(Max)55W(Tj)
工作温度-55°C~175°C(TJ)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）750pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs180mΩ@6A,10V
封装/外壳TO-252-3,Dpak,SC-63
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id12A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA


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