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GT30J121(Q)

商品目录IGBT晶体管
25°C时Td(开/关)值90ns/300ns
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值)2.45V @ 15V,30A
产品状态在售
封装/外壳TO-3P(N)
功率170 W
开关能量1mJ(开),800uJ(关)
测试条件300V,30A,24 欧姆,15V
电压-集射极击穿(最大值)600 V
电流-集电极(Ic)(最大值)30 A
电流-集电极脉冲(Icm)60 A
输入类型标准


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重量:0.00KG
商品描述
商品目录IGBT晶体管
25°C时Td(开/关)值90ns/300ns
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值)2.45V @ 15V,30A
产品状态在售
封装/外壳TO-3P(N)
功率170 W
开关能量1mJ(开),800uJ(关)
测试条件300V,30A,24 欧姆,15V
电压-集射极击穿(最大值)600 V
电流-集电极(Ic)(最大值)30 A
电流-集电极脉冲(Icm)60 A
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