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NTNS3A65PZT5G
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NTNS3A65PZT5G

商品目录小信号MOSFET

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

281mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.3 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

1.1 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

44 pF @ 10 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

155mW（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-883（XDFN3）（1x0.6）

封装/外壳

3-XFDFN



￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述
商品目录小信号MOSFET

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

281mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.3 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

1.1 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

44 pF @ 10 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

155mW（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-883（XDFN3）（1x0.6）

封装/外壳

3-XFDFN



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