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BSS138LT1G
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BSS138LT1G

商品目录小信号MOSFET
系列BSS
高度0.94 mm
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
配置Single
通道数量1 Channel
典型关闭延迟时间20 ns
正向跨导-最小值0.1 S
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
Pd-功率耗散(Max)225mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs3.5Ω@200mA,5V
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds50V
连续漏极电流Id0.2A


￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述
商品目录小信号MOSFET
系列BSS
高度0.94 mm
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
配置Single
通道数量1 Channel
典型关闭延迟时间20 ns
正向跨导-最小值0.1 S
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
Pd-功率耗散(Max)225mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs3.5Ω@200mA,5V
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds50V
连续漏极电流Id0.2A


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