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商品目录达林顿晶体管
FET类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电阻器-基底（R1）（欧姆）2.2k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）47K Ohms
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）80 @ 5mA,10V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）250mV @ 300µA,10mA
电流-集电极截止（最大值）500nA
功率1/4W
封装/外壳SC-88
FET类型NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO50V


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录达林顿晶体管
FET类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电阻器-基底（R1）（欧姆）2.2k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）47K Ohms
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）80 @ 5mA,10V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）250mV @ 300µA,10mA
电流-集电极截止（最大值）500nA
功率1/4W
封装/外壳SC-88
FET类型NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO50V


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