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BS170-D26Z
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BS170-D26Z

商品目录小信号MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id500mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 1mA
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）40pF @ 10V
功率830mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs5 欧姆 @ 200mA,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)


￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述
商品目录小信号MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id500mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 1mA
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）40pF @ 10V
功率830mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs5 欧姆 @ 200mA,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)


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