0755-23055590 服务热线​

   15602983287 手机/微信​

安特芯电子（深圳）有限公司   ATX Electrionics Shenzhen Co.,Ltd.

专业芯片代理 信誉保证 官方授权 原装正品 原装进口 专业团队

扫一​扫

联系客服​​

搜索
代理品牌
首页 >> ON安森美 >> 晶体管/晶闸管 >> 2N7002LT1G
当前位置：​
2N7002LT1G
❤ 收藏

2N7002LT1G

商品目录小信号MOSFET
FET类型N-Channel
连续漏极电流Id115mA(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
功率225mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs7.5 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id0.115A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA


￥0.00
￥0.00
￥0.00
￥0.00
重量：0.00KG
商品描述
商品目录小信号MOSFET
FET类型N-Channel
连续漏极电流Id115mA(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
功率225mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs7.5 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id0.115A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA


热搜关键词