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NTMFS5C442NLT1G
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NTMFS5C442NLT1G

商品目录功率MOSFET
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3100pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
功率3.1W(Ta),69W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs2.8 毫欧 @ 50A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds40V
连续漏极电流Id27A(Ta), 130A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250µA
封装/外壳5-DFN(5x6)(8-SOFL)


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3100pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
功率3.1W(Ta),69W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs2.8 毫欧 @ 50A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds40V
连续漏极电流Id27A(Ta), 130A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250µA
封装/外壳5-DFN(5x6)(8-SOFL)


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