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FGY160T65SPD-F085

商品目录功率MOSFET
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）240A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)480A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.05V @ 15V,160A
功率882W
开关能量12.4mJ(开),5.7mJ(关)
输入类型标准
25°C 时 Td（开/关）值53ns/98ns
测试条件400V,160A,15V
反向恢复时间（trr）132ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳TO-247


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）240A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)480A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.05V @ 15V,160A
功率882W
开关能量12.4mJ(开),5.7mJ(关)
输入类型标准
25°C 时 Td（开/关）值53ns/98ns
测试条件400V,160A,15V
反向恢复时间（trr）132ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳TO-247


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