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FCP360N65S3R0
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FCP360N65S3R0

商品目录功率MOSFET

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

360 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

18 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

730 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3



￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

360 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

18 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

730 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3



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