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PCP1302-TD-H
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PCP1302-TD-H

商品目录功率MOSFET
FET类型P-Channel
连续漏极电流Id3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.6V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）6.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）262pF @ 20V
栅极电压Vgs±20V
功率3.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs266 毫欧 @ 1.5A,10V
工作温度150°C(TJ)
封装/外壳SOT-89
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id3A


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型P-Channel
连续漏极电流Id3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.6V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）6.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）262pF @ 20V
栅极电压Vgs±20V
功率3.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs266 毫欧 @ 1.5A,10V
工作温度150°C(TJ)
封装/外壳SOT-89
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id3A


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