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NVD6824NLT4G
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NVD6824NLT4G

商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
连续漏极电流Id41 A
漏源极电压Vds100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs23 m0hms
栅极电压Vgs2.5V
栅极电压Vgs-20 V、+20 V
引脚数目3
功率90W
最低工作温度-55 °C
最高工作温度+175 °C
宽度6.22mm
晶体管材料Si
典型关断延迟时间31 ns
典型接通延迟时间15 ns
封装/外壳6.73 x 6.22 x 2.38mm


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
连续漏极电流Id41 A
漏源极电压Vds100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs23 m0hms
栅极电压Vgs2.5V
栅极电压Vgs-20 V、+20 V
引脚数目3
功率90W
最低工作温度-55 °C
最高工作温度+175 °C
宽度6.22mm
晶体管材料Si
典型关断延迟时间31 ns
典型接通延迟时间15 ns
封装/外壳6.73 x 6.22 x 2.38mm


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