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FDB52N20TM
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FDB52N20TM

商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds200V
连续漏极电流Id52A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）63nC
栅极电压Vgs±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2900pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V
功率357W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs49 毫欧 @ 26A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB


￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds200V
连续漏极电流Id52A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）63nC
栅极电压Vgs±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2900pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V
功率357W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs49 毫欧 @ 26A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB


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