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商品目录小信号MOSFET
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)0.84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)24.1pF @ 20V
栅极电压Vgs±20V
Rds On(Max)@Id,Vgs4.2 欧姆 @ 190mA,10V
工作温度150°C(TJ)
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id370mA(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4V,10V
封装/外壳3-CPH


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重量:0.00KG
商品描述
商品目录小信号MOSFET
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)0.84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)24.1pF @ 20V
栅极电压Vgs±20V
Rds On(Max)@Id,Vgs4.2 欧姆 @ 190mA,10V
工作温度150°C(TJ)
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id370mA(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4V,10V
封装/外壳3-CPH



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