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商品目录小信号MOSFET
FET类型N+P-Channel
漏源极电压Vds30V,25V
连续漏极电流Id750mA,410mA
Rds On(Max)@Id,Vgs400 毫欧 @ 750mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）1.44nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）120pF @ 10V
功率3/10W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳SC-70-6


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录小信号MOSFET
FET类型N+P-Channel
漏源极电压Vds30V,25V
连续漏极电流Id750mA,410mA
Rds On(Max)@Id,Vgs400 毫欧 @ 750mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）1.44nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）120pF @ 10V
功率3/10W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳SC-70-6


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