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商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds900V
连续漏极电流Id1.7A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）15nC @ 10V
栅极电压Vgs±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）500pF @ 25V
功率2.5W(Ta),50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs7.2 欧姆 @ 850mA,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds900V
连续漏极电流Id1.7A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）15nC @ 10V
栅极电压Vgs±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）500pF @ 25V
功率2.5W(Ta),50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs7.2 欧姆 @ 850mA,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA


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