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商品目录功率MOSFET
FET类型P-Channel
连续漏极电流Id6A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）25nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）1258pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
功率3.2W(Ta),21W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs52 毫欧 @ 7A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳WDFN
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id6A


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型P-Channel
连续漏极电流Id6A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）25nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）1258pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
功率3.2W(Ta),21W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs52 毫欧 @ 7A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳WDFN
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id6A


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