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NVMFD5C680NLT1G

商品目录功率MOSFET

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N-通道（双）

FET 功能

-

漏源电压（Vdss）

60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.5A（Ta），26A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

28 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 13µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

350pF @ 25V

功率 - 最大值

3W（Ta），19W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN



￥0.00
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商品描述
商品目录功率MOSFET

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N-通道（双）

FET 功能

-

漏源电压（Vdss）

60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.5A（Ta），26A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

28 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 13µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

350pF @ 25V

功率 - 最大值

3W（Ta），19W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN



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