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NTJD4152PT1G
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NTJD4152PT1G

商品目录功率MOSFET
封装/外壳SOT-363
FET类型P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs260mΩ@880mA,4.5V
Pd-功率耗散(Max)272mW
工作温度-55℃~150℃
栅极电压Vgs±12V
漏源极电压Vds-20V
连续漏极电流Id-0.88A


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
封装/外壳SOT-363
FET类型P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs260mΩ@880mA,4.5V
Pd-功率耗散(Max)272mW
工作温度-55℃~150℃
栅极电压Vgs±12V
漏源极电压Vds-20V
连续漏极电流Id-0.88A


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