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2N7002-7-F

小信号MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.9mm

无铅/符合RoHs

MOSFET

商品目录 小信号MOSFET

配置 Single

正向跨导-最小值 0.08 S

驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V

工作温度 -55°C~150°C(TJ)

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

连续漏极电流Id 210mA

Pd-功率耗散(Max) 540mW

Qg-栅极电荷 223pC

Rds On(Max)@Id,Vgs

漏源极电压Vds 60V

栅极电压Vgs 1V

上升时间 3ns

下降时间 5.6ns

典型关闭延迟时间 7.6ns

典型接通延迟时间 2.8ns

宽度 1.3mm

FET类型 N-Channel

正向跨导 - 最小值 80mS

系列 2N7002

通道数量 1Channel

长度 2.9mm

高度 1mm

-55℃~150℃


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重量:0.00KG
商品描述

小信号MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.9mm

无铅/符合RoHs

MOSFET

商品目录 小信号MOSFET

配置 Single

正向跨导-最小值 0.08 S

驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V

工作温度 -55°C~150°C(TJ)

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

连续漏极电流Id 210mA

Pd-功率耗散(Max) 540mW

Qg-栅极电荷 223pC

Rds On(Max)@Id,Vgs

漏源极电压Vds 60V

栅极电压Vgs 1V

上升时间 3ns

下降时间 5.6ns

典型关闭延迟时间 7.6ns

典型接通延迟时间 2.8ns

宽度 1.3mm

FET类型 N-Channel

正向跨导 - 最小值 80mS

系列 2N7002

通道数量 1Channel

长度 2.9mm

高度 1mm

-55℃~150℃



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