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ZXMP10A13FTA

小信号MOSFET   3.04mm SOT-23

无铅/符合RoHs

MOSFET

商品目录 小信号MOSFET

系列 ZXMP

高度 1.02 mm

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

配置 Single

下降时间 3.3 ns

典型接通延迟时间 1.6 ns

上升时间 2.1 ns

通道数量 1 Channel

典型关闭延迟时间 5.9 ns

驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 141pF @ 50V

栅极电压Vgs ±20V

Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs 1Ω@600mA,10V

工作温度 -55°C~150°C(TJ)

封装/外壳 SOT-23

FET类型 P-Channel

漏源极电压Vds 100V

连续漏极电流Id 0.7A


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重量:0.00KG
商品描述

小信号MOSFET   3.04mm SOT-23

无铅/符合RoHs

MOSFET

商品目录 小信号MOSFET

系列 ZXMP

高度 1.02 mm

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

配置 Single

下降时间 3.3 ns

典型接通延迟时间 1.6 ns

上升时间 2.1 ns

通道数量 1 Channel

典型关闭延迟时间 5.9 ns

驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 141pF @ 50V

栅极电压Vgs ±20V

Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs 1Ω@600mA,10V

工作温度 -55°C~150°C(TJ)

封装/外壳 SOT-23

FET类型 P-Channel

漏源极电压Vds 100V

连续漏极电流Id 0.7A



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