小信号MOSFET   2.9mm SOT-23

无铅/符合RoHs

商品目录 小信号MOSFET

系列 NTR4171P

高度 0.94 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

配置 Single

下降时间 22 ns

典型接通延迟时间 9 ns

上升时间 16 ns

通道数量 1 Channel

典型关闭延迟时间 32 ns

正向跨导-最小值 7 S

不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15.6nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 720pF @ 15V

栅极电压Vgs ±12V

Pd-功率耗散(Max) 480mW(Ta)

工作温度 -55°C~150°C(TJ)

封装/外壳 SOT-23

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 720pF @ 15V

Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@2.2A,10V

FET类型 P-Channel

漏源极电压Vds 30V

连续漏极电流Id 2.2A(Ta)

驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 2.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250µA