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功率MOSFET 8-PowerUDFN
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功率MOSFET 8-PowerUDFN

功率MOSFET   8-PowerUDFN

RF4E075ATTCR

无铅/符合RoHs

商品目录 功率MOSFET

FET类型 P-Channel

漏源极电压Vds 30V

连续漏极电流Id 7.5A(Ta)

驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V

栅极电压Vgs ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V

Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs 21.7mΩ@7.5A,10V

工作温度 150°C(TJ)

封装/外壳 8-PowerUDFN


￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述

功率MOSFET   8-PowerUDFN

RF4E075ATTCR

无铅/符合RoHs

商品目录 功率MOSFET

FET类型 P-Channel

漏源极电压Vds 30V

连续漏极电流Id 7.5A(Ta)

驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V

栅极电压Vgs ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V

Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs 21.7mΩ@7.5A,10V

工作温度 150°C(TJ)

封装/外壳 8-PowerUDFN


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