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RV2E014AJT2CL
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RV2E014AJT2CL

小信号MOSFET   DFN1006-3

RV2E014AJT2CL

无铅/符合RoHs

商品目录 小信号MOSFET

封装/外壳 DFN1006-3

FET类型 N-Channel

Pd-功率耗散(Max) 0.6W

漏源极电压Vds 30V

连续漏极电流Id 1.4A

Rds On(Max)@Id,Vgs 0.29Ω@4.5V


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重量：0.00KG
商品描述

小信号MOSFET   DFN1006-3

RV2E014AJT2CL

无铅/符合RoHs

商品目录 小信号MOSFET

封装/外壳 DFN1006-3

FET类型 N-Channel

Pd-功率耗散(Max) 0.6W

漏源极电压Vds 30V

连续漏极电流Id 1.4A

Rds On(Max)@Id,Vgs 0.29Ω@4.5V


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