超薄型DFN0603封装，尺寸仅为0.63 x 0.33 x 0.25 mm，比第二小封装(DFN0604)的MOSFET使用的空间少13%。令人惊叹的是，这种尺寸上的缩小毫不影响器件性能，事实上，这些MOSFET的RDS(on)减少了74%，这有助于提高效率，从而使可穿戴设备设计师能够实现更大的功率密度。

该新系列小型MOSFET包括：

PMX100UN 20 V，N沟道Trench MOSFET

PMX100UNE 20 V，N沟道Trench MOSFET，带2kV ESD保护(HBM)

PMX300UNE 30 V，N沟道Trench MOSFET

PMX400UP 20 V，P沟道Trench MOSFET